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AP 物理C电磁学——快速上手学习指导
2014年06月19日 05:11
供稿单位:互联网   责编:[freemarker标签异常,请联系网站管理员]  浏览 0

    近些年,随着出国留学潮的出现,作为美国大学预修课程的AP项目,也随着其成绩在留学申请过程中及在之后的大学学习过程中具有无可替代的优势,越来越受到学生和家长的重视。AP考试有22个专业37门课程,在这么多的AP考试中最合适中国学生、尤其是理工科学生的科目基本上集中在微积分,统计,物理,化学等科目。而我今天向大家介绍的就是这几门学科中相对较难的“AP物理C-电磁学”科目。为大家的考前报名和复习提供一定辅导。

一.考试时间安排

    这里的时间安排主要针对两类不同的人群:(1)已经在高三上半学期结束时完成大学申请任务,正等待offer陆续到来的高三学生;(2)暂时未到达申请阶段,而想以若干门理想的AP考试成绩作为申请大学条件的高一高二学生。

    对于前者,一般在高三上半学期结束的时候完成申请工作,高三下学期开始即可准备AP考试并报名相关课程,参加同年5月份的AP考试。对于“AP物理C电磁学”一门科目的准备,花费整整2-3个月备考足矣。

    对于后者,我们则建议想参加“AP物理C电磁学”部分考试的同学在高二下半学期5月份参加该科目考试(3月份报名)。因为物理C 电磁学部分所涉及的知识基本是国内高二阶段所学知识,所以希望学生在学习完相关的中文课程后,再进行对应英文课程的学习会更加事半功倍。

    最后,其他科目的考试时间安排则根据国内相关课程的进度和自身的自学能力水平而定。(比如:AP物理C力学可安排在高一下半学期考试;而对于基础较好的学生也可选择在高一下半学期就进行宏微观经济学的考试)

 

二.知识储备

    对于报名参加“AP物理C电磁学”并立志拿满分的同学,我希望你们在进行正式的AP课程学习前具备以下的素养:

(1)一定的单词储备

    这个基本素养是参加每门AP科目考试都必备的,它的重要性不言而喻。

(2)基本的微积分知识

    举例:当我们计算由一个连续电荷密度产生的电场或电势时,我们通常就利用到微积分的思想。我们可以把连续电荷密度的物质看成是由无数个点电荷组成的(微分),由于点电荷的电场或电势公式很容易获得,最后再利用点电荷的电场、电势叠加(积分)得到连续电荷密度物质的电场或电势。

    以上仅仅是我所列举的一个小例子。可以说,微积分的思想是贯穿在整个“AP物理C电磁学”学习过程中的,所以一定要引起大家的重视。希望大家尽量在学习电磁学课程前,通过上课或自学的方式获得基本的微积分知识。

三.学习指南:

    根据新航道AP项目组内部的学习讲义,以下是电磁学部分的学习大纲:

    通过学习大纲,大家可以很清楚的看到:电场和磁场中的知识点,除了电场部分“高斯定律及其应用”和磁场部分的“麦克斯韦方程组”,其余知识点我们都在高中的物理课程中学习过了。那对于这些学过的和未学过的知识点,我们在备考过程应该有哪些注意点呢?

(1)合理安排时间:对于已经学过的知识点适当减少复习时间,而适当多放时间在未学过的知识点上。

(2)对于已经学过的知识点,注意和微积分知识的结合考查。

(3)对于未学过的知识点,结合例题加强对概念的理解。AP物理课程强调概念理解,而不是数学技巧。下面有一个例子告诉大家在学习过程中一定要注重对概念的理解!

    比如,在“电场”中有一章节“高斯定律及其应用”,”我们通常利用高斯定律计算电场,尤其是较复杂带电体产生的电场强度。在具体计算中步骤如下:

Steps:

(1) Confirm the symmetry   根据电荷分布确认对称性;

(2) Choose a Gaussian surface   选取合适的“高斯面”;

(3) Integrals of component regions    计算每个区域上通过高斯面的电通量ΦE ;

(4) Find the enclosed charge   计算该高斯面包围的电荷Qenclosed;

(5) Apply the law   令ΦE等于Qenclosed /ε0,导出电场大小

    在教学过程中我们发现,学生对于公式和计算步骤的运用不存在问题,但是在建立具体的数学模型—即steps 2:“构造合适的高斯面”时往往存在很大的疑问,到底怎么样的一个闭合曲面才算是一个合适的高斯面?针对某个确定形状的带电体,构造的高斯面是否?那我们能不能直接在书本中找到答案?答案是否定的!

    这些问题的解答往往关系着你是否真正掌握了高斯定律的应用,是否能在最后的考试中顺利解题。以下就是我们对该问题的分析:

    (1)首先我们要清楚高斯面的选取直接关系到step3每个高斯面上电通量ΦE的最终求和。我们可以假设选取的闭合高斯面一共有N个面,则通过高斯面的总的电通量为:ΦE = E1•A1 + E2•A2 + E3•A3 + … +En•An , 如果说每个面A都垂直于带电体发出的电场E,则E•A直接就等于E和A的数值相乘。此时,通过使构建出来的高斯面的每个面A都垂直于带电体发出的电场线,我们就可以得到最简单的ΦE求和;这种情况下,当然构建的高斯面就是最合适的高斯面。(比如带电球体的高斯面构建)

    (2)当然,不能保证每次高斯面构建时,都能满足每个面A都垂直于带电体发出的电场线,此时除了使一些面垂直于电场线外,如果使剩下的面都平行于电场线的话,各面ΦE的求和也非常简单,因为当A//E时E•A=0。所以在这种情况下,我们构建的高斯面也是比较合适的高斯面。(比如无限长带点棒,无限延伸带点平面的高斯面构建)

    综上所述,以上两条规则就是我们选取合适高斯面所应遵循的原则:ΦE求和的计算尽量简单,使各个高斯面不是垂直于电场线就是平行于电场线。而针对某个确定形状的带电体,构造的高斯面不一定!!

    总的来说,以上各点就是我们给准备参加“AP物理C-电磁学”考试的同学提出的备考注意点。希望大家把握正确的报名时间,选择合适的学习及备考计划,并做到有所侧重,融会贯通。

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